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MOSFETs Jingdao F10N65

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品牌：Jingdao(晶导微电子)
型号：F10N65
商品编号：DS0144232
封装规格：TO220ABW
商品描述： N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：10A 功率(Pd)：38W
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	型号：F10N65 品牌：Jingdao(晶导微电子)	MOSFETs MOSFETs Jingdao F10N65 MOSFETs Jingdao F10N65	数据手册	44（1起订）	¥2.32000 ▼ 数量国内含税 1 +￥2.32000 30 +￥2.24000 100 +￥2.08000 500 +￥1.92000 1000 +￥1.84000	当前型号	加入购物车

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F10N65 由 Jingdao 设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过等渠道进行代购。 F10N65 价格参考￥ 2.32 。 Jingdao F10N65 封装/规格： TO220ABW, N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：10A 功率(Pd)：38W。你可以下载 F10N65 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程

手机版： F10N65

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品 牌：Jingdao(晶导微电子)型 号：F10N65商品编号：DS0144232封装规格：TO220ABW商品描述： N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：10A 功率(Pd)：38W N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：10A 功率(Pd)：38W 技术文档数据手册

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品牌：Jingdao(晶导微电子)
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