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通用三极管 CBI MMDT3946DW
- 品 牌：CBI(创基)
- 型 号： MMDT3946DW
- 商品编号： G5048726
- 封装规格： SOT-363
- 商品描述： 晶体管类型：1个NPN,1个PNP 集电极电流(Ic)：200mA 集射极击穿电压(Vceo)：40V 功率(Pd)：200mW 集电极截止电流(Icbo)：200mA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：300mV@50mA,5mA；400mV@50mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@10mA,1V 特征频率(fT)：300MHz；250MHz 工作温度(最小值)：- 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj)
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产品分类 | ||
封装/外壳 | SOT-363 | |
零件状态 | Active | |
跃迁频率 | 300MHz | |
DC电流增益(hFE) | 100 | |
晶体管类型 | NPN,PNP | |
集射极击穿电压Vce(Max) | 40V | |
安装类型 | SMT | |
工作温度 | +150℃ | |
Vce饱和压降 | 300mV | |
原产国家 | China | |
长x宽/尺寸 | 2.00 x 1.25mm | |
高度 | 0.90mm | |
引脚数 | 6Pin | |
存储温度 | -55℃~+150℃ | |
集电极-发射极电压 VCEO | 40V | |
功率耗散 | 200mW | |
集电极电流 Ic | 200mA | |
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商品介绍
晶体管类型：1个NPN,1个PNP 集电极电流(Ic)：200mA 集射极击穿电压(Vceo)：40V 功率(Pd)：200mW 集电极截止电流(Icbo)：200mA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：300mV@50mA,5mA；400mV@50mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@10mA,1V 特征频率(fT)：300MHz；250MHz 工作温度(最小值)：- 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj)
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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MMDT3946DW 由 CBI 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 MMDT3946DW 价格参考￥ 0.09344 。 CBI MMDT3946DW 封装/规格： SOT-363, 晶体管类型：1个NPN,1个PNP 集电极电流(Ic)：200mA 集射极击穿电压(Vceo)：40V 功率(Pd)：200mW 集电极截止电流(Icbo)：200mA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：300mV@50mA,5mA；400mV@50mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@10mA,1V 特征频率(fT)：300MHz；250MHz 工作温度(最小值)：- 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj)。你可以下载 MMDT3946DW 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 通用三极管 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： MMDT3946DW
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