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MOSFETs ST STL90N10F7

数量国内含税
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500+¥4.82088
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产品分类

MOSFETs

封装/外壳

PowerFlat™8

零件状态

Active

系列

DeepGATE™,STripFET™VII

是否无铅

No

晶体管类型

N沟道

安装类型

SMT

工作温度

-55℃~+175℃

湿气敏感性等级 (MSL)

1(无限)

漏源电压(Vdss)

100V

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

10.5毫欧@8A,10V

阈值电压

4V

连续漏极电流

70A

输入电容

3.55nF

类型

1个N沟道

原始制造商

STMicroelectronics

原产国家

Switzerland

长x宽/尺寸

6.00 x 5.20mm

高度

1.00mm

引脚数

8Pin

元件生命周期

Active

极性

N-沟道

栅极源极击穿电压

±20V

充电电量

39nC

额定功率

5W

功率耗散

100W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)

10.5mΩ@10V,8A

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商品介绍

MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=70A Pd=100W POWERFLAT 5X6

标准包装

标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时,包装类型(即卷、管、盘)可能会发生变化,以实际包装交货为准。
热销型号1 / 3
数据手册
型号:HQT-I01
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥19.9
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型号:HQT-T02
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥25.00331
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数据手册
品牌:Yageo
封装/规格:0603
¥0.01048
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数据手册
型号:CL10B104KB8NNNC
品牌:Samsung
封装/规格:0603
¥0.01168
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型号:CL10A105KB8NNNC
品牌:Samsung
封装/规格:0603
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图片 型号/品牌 描述 技术文档 库存 参考价格 对比 操作
型号:STL90N10F7
MOSFETs
MOSFETs ST STL90N10F7
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1 +¥5.82523

30 +¥5.62436

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STL90N10F7ST 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 digikeychip1stop 等渠道进行代购。 STL90N10F7 价格参考¥ 5.82523 。 ST STL90N10F7 封装/规格: PowerFlat™8, MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=70A Pd=100W POWERFLAT 5X6。你可以下载 STL90N10F7 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



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