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MOSFETs ST STN1NK60Z

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产品分类

MOSFETs

封装/外壳

SOT-223

零件状态

Active

系列

SuperMESH™

是否无铅

No

晶体管类型

N沟道

安装类型

SMT

工作温度

-55℃~+150℃

湿气敏感性等级 (MSL)

1(无限)

漏源电压(Vdss)

600V

阈值电压

4.5V

栅极电荷(Qg)

6.9nC

连续漏极电流

300mA

输入电容

94pF

类型

1个N沟道

原始制造商

STMicroelectronics

原产国家

Switzerland

长x宽/尺寸

6.70 x 3.70mm

高度

1.80mm

引脚数

4Pin

元件生命周期

Active

极性

N-沟道

栅极源极击穿电压

±30V

充电电量

6.9nC

额定功率

3.3W

功率耗散

3.3W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)

15Ω@400mA,10V

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商品介绍

MOS管 N-Channel VDS=600V VGS=±30V ID=300mA Pd=3.3W SOT223

标准包装

标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时,包装类型(即卷、管、盘)可能会发生变化,以实际包装交货为准。
热销型号1 / 3
数据手册
型号:HQT-I01
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥19.9
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型号:HQT-T02
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥25.00331
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数据手册
品牌:Yageo
封装/规格:0603
¥0.01054
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数据手册
型号:0603B104K500NT
品牌:FH
封装/规格:0603
¥0.01154
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数据手册
型号:CL10B104KB8NNNC
品牌:Samsung
封装/规格:0603
¥0.01319
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图片 型号/品牌 描述 技术文档 库存 参考价格 对比 操作
型号:STN1NK60Z
MOSFETs
MOSFETs ST STN1NK60Z
数据手册 95(1起订)

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1 +¥1.91444

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100 +¥1.71639

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STN1NK60ZST 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 digikeyrsfutureverical 等渠道进行代购。 STN1NK60Z 价格参考¥ 1.91444 。 ST STN1NK60Z 封装/规格: SOT-223, MOS管 N-Channel VDS=600V VGS=±30V ID=300mA Pd=3.3W SOT223。你可以下载 STN1NK60Z 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



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