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MOSFETs AOS AO4407C
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产品分类 | ||
封装/外壳 | SO8_150MIL | |
晶体管类型 | P沟道 | |
安装类型 | SMT | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | 11.5mΩ | |
阈值电压 | 2.3V@250μA | |
栅极电荷(Qg) | 60nC | |
连续漏极电流 | 14A | |
配置 | 单路 | |
输入电容 | 2.05nF | |
类型 | 1个P沟道 | |
长x宽/尺寸 | 4.90 x 3.90mm | |
高度 | 1.50mm | |
引脚数 | 8Pin | |
极性 | P-沟道 | |
栅极源极击穿电压 | -2.3V | |
充电电量 | 60nC | |
额定功率 | 3.1W | |
功率耗散 | 3.1W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 11.5mΩ@10V,14A | |
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商品介绍
MOSFETs SO8_150MIL VDS=30V ID=14A
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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