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MOSFETs Vishay SIA519EDJ-T1-GE3
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- 品 牌：Vishay(威世)
- 型 号： SIA519EDJ-T1-GE3
- 商品编号： G3814814
- 封装规格： PowerPAK®SC70-6
- 商品描述： MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 20V 4.5A 7.8W 表面贴装型 PowerPAK® SC-70-6 双
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产品分类 | ||
封装/外壳 | PowerPAK®SC70-6 | |
零件状态 | Active | |
系列 | TrenchFET® | |
是否无铅 | Yes | |
晶体管类型 | N沟道和P沟道互补型 | |
安装类型 | SMT | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | 40毫欧@4.2A，4.5V | |
阈值电压 | 1.4V | |
连续漏极电流 | 4.5A | |
配置 | 单路 | |
输入电容 | 350pF | |
类型 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
原始制造商 | Vishay Intertechnology, Inc. | |
原产国家 | America | |
长x宽/尺寸 | 2.05 x 2.05mm | |
高度 | 0.75mm | |
引脚数 | 8Pin | |
元件生命周期 | Active | |
极性 | N-沟道,P-沟道 | |
充电电量 | 12nC | |
额定功率 | 7.8W | |
功率耗散 | 7.8W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 40mΩ@4.5V,4.2A | |
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商品介绍
MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 20V 4.5A 7.8W 表面贴装型 PowerPAK® SC-70-6 双
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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SIA519EDJ-T1-GE3 由 Vishay 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 digikeyavnet 等渠道进行代购。 SIA519EDJ-T1-GE3 价格参考￥ 2.23951 。 Vishay SIA519EDJ-T1-GE3 封装/规格： PowerPAK®SC70-6, MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 20V 4.5A 7.8W 表面贴装型 PowerPAK® SC-70-6 双。你可以下载 SIA519EDJ-T1-GE3 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： SIA519EDJ-T1-GE3
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