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MOSFETs LRC LN2306LT1G

数量国内含税
10+¥0.19831
100+¥0.18893
1000+¥0.18223

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¥ 1.9831

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产品分类

MOSFETs

封装/外壳

SOT-23

零件状态

Active

安装类型

SMT

工作温度

-55℃~+150℃

漏源电压(Vdss)

30V

漏极电流

1µA

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

38mΩ

阈值电压

1.4V

连续漏极电流

5.8A

类型

1个N沟道

原产国家

China

长x宽/尺寸

3.04 x 1.40mm

高度

1.11mm

引脚数

3Pin

存储温度

-55℃~+150℃

元件生命周期

Active

极性

N-沟道

额定功率

1.4W

功率耗散

1.4W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)

38mΩ@10V,5.8A

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商品介绍

30V N沟道增强型MOSFET

标准包装

标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时,包装类型(即卷、管、盘)可能会发生变化,以实际包装交货为准。
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图片 型号/品牌 描述 技术文档 库存 参考价格 对比 操作
型号:LN2306LT1G
MOSFETs
MOSFETs LRC LN2306LT1G
数据手册 1046(1起订)

¥0.19831 ▼

数量国内含税

10 +¥0.19831

100 +¥0.18893

1000 +¥0.18223

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LN2306LT1GLRC 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 LN2306LT1G 价格参考¥ 0.19831 。 LRC LN2306LT1G 封装/规格: SOT-23, 30V N沟道增强型MOSFET。你可以下载 LN2306LT1G 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



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