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购物车 MOSFETs NCE NCE6080K 替代
- 品 牌：NCE(无锡新功率)
- 型 号： NCE6080K
- 商品编号： G4643018
- 封装规格： TO-252(DPAK)
- 商品描述： N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：110W
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产品分类 | ||
封装/外壳 | TO-252(DPAK) | |
零件状态 | Active | |
安装类型 | SMT | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
漏极电流 | 1uA | |
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8.5mΩ | |
阈值电压 | 4V | |
栅极电荷(Qg) | 90nC | |
连续漏极电流 | 80A | |
配置 | 单路 | |
输入电容 | 4nF | |
类型 | 1个N沟道 | |
原产国家 | China | |
长x宽/尺寸 | 6.70 x 6.20mm | |
高度 | 2.30mm | |
引脚数 | 3Pin | |
存储温度 | -55℃~+175℃ | |
元件生命周期 | Active | |
极性 | N-沟道 | |
栅极源极击穿电压 | 20V | |
充电电量 | 90nC | |
额定功率 | 110W | |
功率耗散 | 110W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 8.5mΩ@10V,20A | |
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商品介绍
N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：110W
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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| 图片 | 型号/品牌 | 描述 | 技术文档 | 库存 | 参考价格 | 对比 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 型号：NCE6080K 品牌：NCE(无锡新功率) | MOSFETs MOSFETs NCE NCE6080K | 数据手册 | 1145（1起订） | ¥1.26760 ▼ 数量国内含税 5 +￥1.26760 50 +￥1.16560 500 +￥1.02960 1000 +￥0.92760 2500 +￥0.88000 | 当前型号 | 加入购物车 |
 | PIN to PIN | MOSFETs | 数据手册 | 0（10起订） | ¥1.49040 ▼ 数量国内含税 1 +￥1.49040 10 +￥1.43520 100 +￥1.26960 500 +￥1.23648 | NCE6080K(NCE)和NCE6075K(NCE)的区别 |
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