上传BOM 
购物车
MOSFETs WINSOK WSD45P10DN56
- 品 牌：WINSOK(微硕)
- 型 号： WSD45P10DN56
- 商品编号： G4741565
- 封装规格： DFN8_5X6MM
- 商品描述： P沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：27.5A 功率(Pd)：104W
EDA模型
查看详情
原理图符号
封装
- 商品详情
- EDA模型
- PDF数据手册
- 技术文档
- 相关问答
产品分类 | ||
封装/外壳 | DFN8_5X6MM | |
晶体管类型 | P沟道 | |
安装类型 | SMT | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | 81mΩ | |
阈值电压 | 2.5V@250μA | |
栅极电荷(Qg) | 75nC | |
连续漏极电流 | 27.5A | |
配置 | 单路 | |
输入电容 | 2.59nF | |
类型 | 1个P沟道 | |
长x宽/尺寸 | 5.85 X 5.40mm | |
极性 | P-沟道 | |
栅极源极击穿电压 | ±20V | |
反向传输电容Crss | 45pF@50V | |
充电电量 | 75nC | |
额定功率 | 104W | |
功率耗散 | 104W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 62mΩ@10V,20A | |
| 查找近似商品 | ||
商品介绍
P沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：27.5A 功率(Pd)：104W
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
下载EDA模型
- 型号推荐
- 最新产品推荐
- 品牌分类
| ON品牌的MOSFETsON品牌的晶体管OTHER品牌的MOSFETsOTHER品牌的晶体管Infineon品牌的MOSFETsInfineon品牌的晶体管Ruichips品牌的MOSFETsRuichips品牌的晶体管NCE品牌的MOSFETsNCE品牌的晶体管IXYS品牌的MOSFETsIXYS品牌的晶体管 |
WSD45P10DN56 由 WINSOK 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 WSD45P10DN56 价格参考￥ 3.72 。 WINSOK WSD45P10DN56 封装/规格： DFN8_5X6MM, P沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：27.5A 功率(Pd)：104W。你可以下载 WSD45P10DN56 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： WSD45P10DN56
工商网监 