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MOSFETs ON NTMFS5C612NLT1G

数量国内含税
1+¥14.56051
30+¥14.01312
100+¥12.91835
500+¥11.82357
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966 (1起订)
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3年内,超3年

数量:
X14.56051(单价)「卷装(TR)/1500」
总价:
¥ 14.56051

  • 品       牌:ON(安森美)
  • 型       号: NTMFS5C612NLT1G
  • 商品编号: DS0087186
  • 封装规格: DFN5_4.9X5.9MM
  • 商品描述: MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=235A RDS(ON)=2.3mΩ@4.5V DFN5_4.9X5.9MM

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产品分类

MOSFETs

封装/外壳

DFN5_4.9X5.9MM

零件状态

Active

系列

-

是否无铅

Yes

晶体管类型

N沟道

安装类型

SMT

工作温度

-55℃~+175℃(TJ)

湿气敏感性等级 (MSL)

1(无限)

漏源电压(Vdss)

60V

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.5毫欧@50A,10V

阈值电压

2V

连续漏极电流

235A

配置

单路

输入电容

6.66nF

类型

1个N沟道

原始制造商

ON Semiconductor Inc.

原产国家

America

长x宽/尺寸

4.90 x 5.90mm

高度

1.10mm

引脚数

5Pin

存储温度

-55℃~+175℃

元件生命周期

Active

极性

N-沟道

击穿电压

60V

栅极源极击穿电压

±20V

反向传输电容Crss

45pF

充电电量

91nC

额定功率

167W

功率耗散

3.8W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)

1.5mΩ@10V,50A

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商品介绍

MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=235A RDS(ON)=2.3mΩ@4.5V DFN5_4.9X5.9MM

标准包装

标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时,包装类型(即卷、管、盘)可能会发生变化,以实际包装交货为准。
热销型号1 / 3
数据手册
型号:HQT-I01
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥19.9
购买
型号:HQT-T02
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥25.00331
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数据手册
品牌:Yageo
封装/规格:0603
¥0.01048
购买
数据手册
型号:CL10B104KB8NNNC
品牌:Samsung
封装/规格:0603
¥0.01168
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数据手册
型号:CL10A105KB8NNNC
品牌:Samsung
封装/规格:0603
¥0.02309
购买

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图片 型号/品牌 描述 技术文档 库存 参考价格 对比 操作
型号:NTMFS5C612NLT1G
品牌:ON(安森美)
MOSFETs
MOSFETs ON NTMFS5C612NLT1G
数据手册 966(1起订)

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数量国内含税

1 +¥14.56051

30 +¥14.01312

100 +¥12.91835

500 +¥11.82357

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NTMFS5C612NLT1GON 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 digikey 等渠道进行代购。 NTMFS5C612NLT1G 价格参考¥ 14.56051 。 ON NTMFS5C612NLT1G 封装/规格: DFN5_4.9X5.9MM, MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=235A RDS(ON)=2.3mΩ@4.5V DFN5_4.9X5.9MM。你可以下载 NTMFS5C612NLT1G 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



手机版: NTMFS5C612NLT1G

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