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MOSFETs NCE NCEP039N10D
- 品 牌：NCE(无锡新功率)
- 型 号： NCEP039N10D
- 商品编号： G4742861
- 封装规格： TO-263(D²Pak)
- 商品描述： N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：135A 功率(Pd)：220W
- 商品详情
- PDF数据手册
- 技术文档
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产品分类 | ||
封装/外壳 | TO-263(D²Pak) | |
零件状态 | Active | |
晶体管类型 | N沟道 | |
安装类型 | SMT | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
漏极电流 | 1uA | |
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.9mΩ | |
阈值电压 | 4V | |
栅极电荷(Qg) | 102nC | |
连续漏极电流 | 135A | |
配置 | 单路 | |
输入电容 | 6.4nF | |
原产国家 | China | |
长x宽/尺寸 | 10.16 x 8.92mm | |
高度 | 4.44mm | |
引脚数 | 3Pin | |
存储温度 | -55℃~+175℃ | |
元件生命周期 | Active | |
极性 | N-沟道 | |
击穿电压 | 100V | |
栅极源极击穿电压 | 20V | |
反向传输电容Crss | 37pF | |
充电电量 | 102nC | |
额定功率 | 220W | |
功率耗散 | 220W | |
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商品介绍
N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：135A 功率(Pd)：220W
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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NCEP039N10D 由 NCE 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 ickey 等渠道进行代购。 NCEP039N10D 价格参考￥ 2.46469 。 NCE NCEP039N10D 封装/规格： TO-263(D²Pak), N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：135A 功率(Pd)：220W。你可以下载 NCEP039N10D 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： NCEP039N10D
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