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MOSFETs ROHM RUM003N02T2L

数量国内含税
1+¥0.38937
100+¥0.36233
300+¥0.33529
500+¥0.30825
2000+¥0.29473
5000+¥0.28662

交货地:

1国内(含增税) 交期(工作日):1个工作日内

库存:
1687 (1起订)
批次:
超3年

数量:
X0.38937(单价)「卷装(TR)/8000」
总价:
¥ 0.38937

  • 品       牌:ROHM(罗姆)
  • 型       号: RUM003N02T2L
  • 商品编号: G0039415
  • 封装规格: SOT-723-3
  • 商品描述: MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=300mA Pd=150mW SOT723

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产品分类

MOSFETs

封装/外壳

SOT-723-3

零件状态

Not For New Designs

系列

-

是否无铅

Yes

晶体管类型

N沟道

安装类型

SMT

工作温度

+150℃

湿气敏感性等级 (MSL)

1(无限)

漏源电压(Vdss)

20V

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

1欧姆@300mA,4V

阈值电压

1V

栅极电荷(Qg)

-

连续漏极电流

300mA

输入电容

25pF

类型

1个N沟道

原始制造商

Rohm Co.,Ltd.

原产国家

Japan

长x宽/尺寸

1.30 x 0.90mm

高度

0.55mm

引脚数

3Pin

存储温度

-55℃~+150℃

元件生命周期

Active

极性

N-沟道

栅极源极击穿电压

±8V

充电电量

OriginalnC

额定功率

150mW

功率耗散

150mW

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)

1Ω@300mA,4V

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商品介绍

MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=300mA Pd=150mW SOT723

标准包装

标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时,包装类型(即卷、管、盘)可能会发生变化,以实际包装交货为准。
热销型号1 / 3
数据手册
型号:HQT-I01
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥19.9
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型号:HQT-T02
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥25.00331
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数据手册
品牌:Yageo
封装/规格:0603
¥0.01022
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数据手册
型号:0603B104K500NT
品牌:FH
封装/规格:0603
¥0.01142
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数据手册
型号:CL10B104KB8NNNC
品牌:Samsung
封装/规格:0603
¥0.01155
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图片 型号/品牌 描述 技术文档 库存 参考价格 对比 操作
型号:RUM003N02T2L
品牌:ROHM(罗姆)
MOSFETs
MOSFETs ROHM RUM003N02T2L
数据手册 1687(1起订)

¥0.38937 ▼

数量国内含税

1 +¥0.38937

100 +¥0.36233

300 +¥0.33529

500 +¥0.30825

2000 +¥0.29473

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RUM003N02T2LROHM 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 digikeyfuture 等渠道进行代购。 RUM003N02T2L 价格参考¥ 0.38937 。 ROHM RUM003N02T2L 封装/规格: SOT-723-3, MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=300mA Pd=150mW SOT723。你可以下载 RUM003N02T2L 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



手机版: RUM003N02T2L

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