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MOSFETs NCE NCE2301
- 品 牌：NCE(无锡新功率)
- 型 号： NCE2301
- 商品编号： G4616698
- 封装规格： SOT-23
- 商品描述： 场效应管MOSFET P沟道 -20V -3A 64mΩ
- 商品详情
- 技术文档
- 相关问答
产品分类 | ||
封装/外壳 | SOT-23 | |
零件状态 | Active | |
晶体管类型 | P沟道 | |
安装类型 | SMT | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | 110mΩ | |
阈值电压 | 1V | |
栅极电荷(Qg) | 12nC | |
连续漏极电流 | 3A | |
配置 | 单路 | |
输入电容 | 405pF | |
类型 | 1个P沟道 | |
原始制造商 | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | |
原产国家 | China | |
长x宽/尺寸 | 3.00 x 1.40mm | |
高度 | 1.15mm | |
引脚数 | 3Pin | |
存储温度 | -55℃~+150℃ | |
元件生命周期 | Active | |
极性 | P-沟道 | |
击穿电压 | -20V | |
栅极源极击穿电压 | ±12V | |
反向传输电容Crss | 55pF | |
充电电量 | 12nC | |
额定功率 | 1W | |
功率耗散 | 1W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 110mΩ@4.5V,3A | |
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商品介绍
场效应管MOSFET P沟道 -20V -3A 64mΩ
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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