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MOSFETs LRC L2N7002DW1T1G

数量国内含税
20+¥0.10416
200+¥0.09765
600+¥0.09114
3000+¥0.08463

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2974 (20起订)
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¥ 2.0832

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产品分类

MOSFETs

封装/外壳

SOT-363

晶体管类型

2个N沟道(双)

安装类型

SMT

工作温度

-55℃~+150℃

漏源电压(Vdss)

60V

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

7.5Ω

阈值电压

2V@250μA

栅极电荷(Qg)

-

连续漏极电流

500mA

输入电容

50pF

类型

1个N沟道

长x宽/尺寸

2.20 x 1.35mm

高度

1.10mm

引脚数

6Pin

极性

N-沟道

栅极源极击穿电压

±20V

充电电量

OriginalnC

额定功率

380mW

功率耗散

380mW

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)

7.5Ω@10V,500mA

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商品介绍

MOSFETs Dual N-channel VDS=60V VGS=±20V ID=500mA SOT363-6

标准包装

标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时,包装类型(即卷、管、盘)可能会发生变化,以实际包装交货为准。
热销型号1 / 3
数据手册
型号:HQT-I01
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥19.9
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型号:HQT-T02
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥25.00331
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数据手册
品牌:Yageo
封装/规格:0603
¥0.01054
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数据手册
型号:CL10A105KB8NNNC
品牌:Samsung
封装/规格:0603
¥0.02498
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数据手册
型号:0603WAF1002T5E
品牌:Uniohm
封装/规格:0603
¥0.00431
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图片 型号/品牌 描述 技术文档 库存 参考价格 对比 操作
型号:L2N7002DW1T1G
MOSFETs
MOSFETs LRC L2N7002DW1T1G
数据手册 2974(1起订)

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L2N7002DW1T1GLRC 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 L2N7002DW1T1G 价格参考¥ 0.10416 。 LRC L2N7002DW1T1G 封装/规格: SOT-363, MOSFETs Dual N-channel VDS=60V VGS=±20V ID=500mA SOT363-6。你可以下载 L2N7002DW1T1G 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



手机版: L2N7002DW1T1G

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