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MOSFETs VBsemi SI2308DS-T1-GE3 替代
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- 品 牌：VBsemi(微碧)
- 型 号： SI2308DS-T1-GE3
- 商品编号： G4693482
- 封装规格： SOT-23
- 商品描述： MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=3.1A RDS(ON)=86mΩ@4.5V SOT23
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产品分类 | ||
封装/外壳 | SOT-23 | |
晶体管类型 | N沟道 | |
安装类型 | SMT | |
工作温度 | -55℃~+150℃(TJ) | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | 86mΩ | |
连续漏极电流 | 3.1A | |
配置 | 单路 | |
输入电容 | 180pF | |
原始制造商 | VBsemi Electronics Co. Ltd | |
原产国家 | China Taiwan | |
长x宽/尺寸 | 3.04 x 1.40mm | |
高度 | 1.12mm | |
引脚数 | 3Pin | |
存储温度 | -55℃~+150℃ | |
极性 | N-沟道 | |
击穿电压 | 60V | |
栅极源极击穿电压 | ±20V | |
反向传输电容Crss | 13pF | |
充电电量 | 2.1nC | |
功率耗散 | 1.09W | |
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商品介绍
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| 图片 | 型号/品牌 | 描述 | 技术文档 | 库存 | 参考价格 | 对比 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 型号：SI2308DS-T1-GE3 品牌：VBsemi(微碧) | MOSFETs MOSFETs VBsemi SI2308DS-T1-GE3 | 数据手册 | 255（1起订） | ¥0.68364 ▼ 数量国内含税 1 +￥0.68364 10 +￥0.65199 | 当前型号 | 加入购物车 |
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 | PIN to PIN | 肖特基二极管 | 数据手册 | 6519（20起订） | ¥0.28710 ▼ 数量国内含税 5 +￥0.28710 20 +￥0.26249 100 +￥0.23788 500 +￥0.21327 1000 +￥0.20179 2000 +￥0.19358 | SI2308DS-T1-GE3(VBsemi)和1N4007RLG(ON)的区别 | |
 | PIN to PIN | 肖特基二极管 | 数据手册 | 0（20起订） | ¥0.70040 ▼ 数量国内含税 5 +￥0.70040 20 +￥0.63860 100 +￥0.57680 500 +￥0.51500 1000 +￥0.48616 2000 +￥0.46556 | SI2308DS-T1-GE3(VBsemi)和1N4007-E3/54(Vishay)的区别 | |
 | PIN to PIN | 快/超快恢复二极管 | --- | 0（起订） | ¥0.00000 ▼ 数量国内含税 0 +￥0.00000 | SI2308DS-T1-GE3(VBsemi)和UF4007(DIOTEC(德欧泰克))的区别 |
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SI2308DS-T1-GE3 由 VBsemi 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 SI2308DS-T1-GE3 价格参考￥ 0.68364 。 VBsemi SI2308DS-T1-GE3 封装/规格： SOT-23, MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=3.1A RDS(ON)=86mΩ@4.5V SOT23。你可以下载 SI2308DS-T1-GE3 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： SI2308DS-T1-GE3
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