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MOSFETs VBsemi FDC6312P

数量国内含税
1+¥1.0848
10+¥1.017
50+¥0.9153
150+¥0.8475
300+¥0.80004
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  • 品       牌:VBsemi(微碧)
  • 型       号: FDC6312P
  • 商品编号: DS0142227
  • 封装规格: TSOP6
  • 商品描述: MOS管 Dual P-ChannelVDS=20V VGS=±12V ID=3.6A RDS(ON)=75mΩ@4.5V TSOP6

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产品分类

MOSFETs

封装/外壳

TSOP6

是否无铅

Yes

晶体管类型

MOSFET

安装类型

SMT

工作温度

-55℃~+150℃(TJ)

漏源电压(Vdss)

20V

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

75mΩ

连续漏极电流

3.6A

配置

双路

输入电容

210pF

原始制造商

VBsemi Electronics Co. Ltd

原产国家

China Taiwan

长x宽/尺寸

3.05 x 1.65mm

高度

1.10mm

引脚数

6Pin

存储温度

-55℃~+150℃

极性

P-沟道

击穿电压

20V

栅极源极击穿电压

±12V

反向传输电容Crss

33pF

充电电量

5.2nC

功率耗散

1.14W

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商品介绍

MOS管 Dual P-ChannelVDS=20V VGS=±12V ID=3.6A RDS(ON)=75mΩ@4.5V TSOP6

标准包装

标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时,包装类型(即卷、管、盘)可能会发生变化,以实际包装交货为准。
热销型号1 / 3
数据手册
型号:HQT-I01
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥19.9
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型号:HQT-T02
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥25.00331
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数据手册
品牌:Yageo
封装/规格:0603
¥0.01048
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数据手册
型号:0603B104K500NT
品牌:FH
封装/规格:0603
¥0.01142
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数据手册
型号:CL10B104KB8NNNC
品牌:Samsung
封装/规格:0603
¥0.01168
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图片 型号/品牌 描述 技术文档 库存 参考价格 对比 操作
型号:FDC6312P
MOSFETs
MOSFETs VBsemi FDC6312P
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数量国内含税

1 +¥1.08480

10 +¥1.01700

50 +¥0.91530

150 +¥0.84750

300 +¥0.80004

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FDC6312PVBsemi 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 FDC6312P 价格参考¥ 1.0848 。 VBsemi FDC6312P 封装/规格: TSOP6, MOS管 Dual P-ChannelVDS=20V VGS=±12V ID=3.6A RDS(ON)=75mΩ@4.5V TSOP6。你可以下载 FDC6312P 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



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