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MOSFETs TECH PUBLIC TPNTS4101PT1G 替代

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300+¥0.18915
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产品分类

MOSFETs

封装/外壳

SOT-323

零件状态

Active

晶体管类型

P沟道

安装类型

SMT

工作温度

+125℃

漏源电压(Vdss)

20V

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

100mΩ

阈值电压

700mV@250μA

栅极电荷(Qg)

-

连续漏极电流

2.3A

配置

单路

输入电容

640pF

类型

1个P沟道

原始制造商

Tech Public Electronics Co.,Ltd.

原产国家

China Taiwan

长x宽/尺寸

2.10 x 1.24mm

高度

1.00mm

引脚数

3Pin

存储温度

-50℃~+150℃

元件生命周期

Active

极性

P-沟道

击穿电压

20V

栅极源极击穿电压

±10A

反向传输电容Crss

82pF

额定功率

290mW

功率耗散

290mW

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)

100mΩ@4.5V,2.3A

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商品介绍

MOSFETs SOT323 VDS=20V ID=2.3A PD=290mW

标准包装

标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时,包装类型(即卷、管、盘)可能会发生变化,以实际包装交货为准。
热销型号1 / 3
数据手册
型号:HQT-I01
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥19.9
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型号:HQT-T02
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥25.00331
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数据手册
品牌:Yageo
封装/规格:0603
¥0.01048
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数据手册
型号:CL10B104KB8NNNC
品牌:Samsung
封装/规格:0603
¥0.01168
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数据手册
型号:CL10A105KB8NNNC
品牌:Samsung
封装/规格:0603
¥0.02309
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图片 型号/品牌 描述 技术文档 库存 参考价格 对比 操作
型号:TPNTS4101PT1G
MOSFETs
MOSFETs TECH PUBLIC TPNTS4101PT1G
数据手册 8(1起订)

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数量国内含税

1 +¥0.21825

100 +¥0.20370

300 +¥0.18915

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5000 +¥0.16296

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型号: 74ACTQ04SJ
品牌:
PIN to PIN
反相器
数据手册
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品牌:ON
PIN to PIN
反相器
数据手册 0(10起订)

¥1.36317 ▼

数量国内含税

1 +¥1.36317

10 +¥1.25831

30 +¥1.23734

TPNTS4101PT1G(TECH PUBLIC)和MC74ACT04DR2G(ON)的区别
型号: SN74ACT04DR
品牌:TI
PIN to PIN
反相器
数据手册 0(起订)

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数量国内含税

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TPNTS4101PT1G(TECH PUBLIC)和SN74ACT04DR(TI)的区别
品牌:TI
PIN to PIN
反相器
SN74HCT04 具有 TTL 兼容型 CMOS 输入的 6 通道 4.5V 至 5.5V 反相器
--- 98(10起订)

¥3.87720 ▼

数量国内含税

1 +¥3.87720

10 +¥3.76920

30 +¥3.70440

100 +¥3.63960

TPNTS4101PT1G(TECH PUBLIC)和SN74HCT04NSR(TI)的区别
品牌:ON
PIN to PIN
反相器
--- 2300(100起订)

¥1.92971 ▼

数量国内含税

10 +¥1.92971

100 +¥1.21942

500 +¥1.10295

1000 +¥0.98647

TPNTS4101PT1G(TECH PUBLIC)和MC74ACT04DTR2G(ON)的区别

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TPNTS4101PT1GTECH PUBLIC 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 TPNTS4101PT1G 价格参考¥ 0.21825 。 TECH PUBLIC TPNTS4101PT1G 封装/规格: SOT-323, MOSFETs SOT323 VDS=20V ID=2.3A PD=290mW。你可以下载 TPNTS4101PT1G 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



手机版: TPNTS4101PT1G

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