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MOSFETs TECHCODE TDM3478
- 品 牌：TECHCODE(泰德)
- 型 号： TDM3478
- 商品编号： G4217154
- 封装规格： DFN8_5X6MM
- 商品描述： N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：54A 功率(Pd)：2.08W
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产品分类 | ||
封装/外壳 | DFN8_5X6MM | |
零件状态 | Active | |
是否无铅 | Yes | |
晶体管类型 | N沟道 | |
安装类型 | SMT | |
工作温度 | +150℃ | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
漏极电流 | 15.2A | |
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7.5mΩ | |
阈值电压 | 1.75V@250µA | |
连续漏极电流 | 54A | |
配置 | 单路 | |
输入电容 | 750pF | |
类型 | 1个N沟道 | |
原始制造商 | Techcode | |
原产国家 | America | |
认证信息 | RoHS | |
长x宽/尺寸 | 3.10 x 3.10mm | |
高度 | 0.75mm | |
引脚数 | 8Pin | |
存储温度 | -55℃~+150℃ | |
极性 | N-沟道 | |
击穿电压 | 30V | |
栅极源极击穿电压 | ±20V | |
反向传输电容Crss | 37pF | |
充电电量 | 5.5nC | |
额定功率 | 2.08W | |
功率耗散 | 26.6W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 6mΩ@10V,12A | |
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商品介绍
N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：54A 功率(Pd)：2.08W
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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