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快/超快恢复二极管 ON MUR1100EG 替代

数量国内含税
1+¥0.868
30+¥0.837
100+¥0.806
500+¥0.744
1000+¥0.713
2000+¥0.6944

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-

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总价:
¥ 0.868

  • 品       牌:ON(安森美)
  • 型       号: MUR1100EG
  • 商品编号: G3533474
  • 封装规格: DO-204AL
  • 商品描述: 二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.75V@1A 反向电流(Ir):10uA@1kV 反向恢复时间(trr):100ns 工作温度:-65℃~+175℃@(Tj)

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产品分类

快/超快恢复二极管

是否无铅

Yes

安装类型

插件

封装/外壳

DO-204AL

反向漏电流IR

10µA@1000V

反向恢复时间(trr)

100ns

正向压降VF

1.75V

平均整流电流

1A

反向耐压VR

1KV

零件状态

在售

系列

SWITCHMODE™

湿气敏感性等级 (MSL)

1(无限)

工作温度

-65℃~+175℃

二极管配置

独立式

原始制造商

ON Semiconductor

原产国家

America

长x宽/尺寸

Φ2.70mm

高度

5.20mm

引脚数

2Pin

存储温度

-65℃~+175℃

正向压降VF Max

1.5V

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商品介绍

二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.75V@1A 反向电流(Ir):10uA@1kV 反向恢复时间(trr):100ns 工作温度:-65℃~+175℃@(Tj)

标准包装

标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时,包装类型(即卷、管、盘)可能会发生变化,以实际包装交货为准。
热销型号1 / 3
数据手册
型号:HQT-I01
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥19.9
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型号:HQT-T02
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥25.00331
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数据手册
品牌:Yageo
封装/规格:0603
¥0.01022
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数据手册
型号:0603B104K500NT
品牌:FH
封装/规格:0603
¥0.01142
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数据手册
型号:CL10B104KB8NNNC
品牌:Samsung
封装/规格:0603
¥0.01155
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图片 型号/品牌 描述 技术文档 库存 参考价格 对比 操作
型号:MUR1100EG
品牌:ON(安森美)
快/超快恢复二极管
快/超快恢复二极管 ON MUR1100EG
数据手册 0(1起订)

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数量国内含税

1 +¥0.86800

30 +¥0.83700

100 +¥0.80600

500 +¥0.74400

1000 +¥0.71300

2000 +¥0.69440

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品牌:Samsung
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贴片电容(MLCC)
数据手册 14114(500起订)

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1000 +¥0.01778

5000 +¥0.01514

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MUR1100EG(ON)和CL05C150JB5NNNC(Samsung)的区别
品牌:Murata
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贴片电容(MLCC)
数据手册 19312(500起订)

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1000 +¥0.01036

5000 +¥0.00900

10000 +¥0.00818

MUR1100EG(ON)和GRM1555C1H150JA01D(Murata)的区别
品牌:FH
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贴片电容(MLCC)
数据手册 23468(500起订)

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100 +¥0.00410

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1000 +¥0.00352

5000 +¥0.00305

10000 +¥0.00277

MUR1100EG(ON)和0402CG150J500NT(FH)的区别
品牌:Murata
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贴片电容(MLCC)
数据手册 5950(500起订)

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5000 +¥0.02829

10000 +¥0.02583

MUR1100EG(ON)和GCM1555C1H150JA16D(Murata)的区别
品牌:Murata
PIN to PIN
贴片电容(MLCC)
数据手册 0(500起订)

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5000 +¥0.03545

10000 +¥0.03185

MUR1100EG(ON)和GJM1555C1H150JB01D(Murata)的区别

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MUR1100EGON 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 rschip1stop 等渠道进行代购。 MUR1100EG 价格参考¥ 0.868 。 ON MUR1100EG 封装/规格: DO-204AL, 二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.75V@1A 反向电流(Ir):10uA@1kV 反向恢复时间(trr):100ns 工作温度:-65℃~+175℃@(Tj)。你可以下载 MUR1100EG 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 快/超快恢复二极管 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



手机版: MUR1100EG

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