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MOSFETs Infineon IRFU120NPBF 替代

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产品分类

MOSFETs

封装/外壳

TO-251(IPAK)

零件状态

Active

系列

HEXFET®

是否无铅

Yes

晶体管类型

N沟道

安装类型

插件

工作温度

-55℃~+175℃

湿气敏感性等级 (MSL)

1(无限)

漏源电压(Vdss)

100V

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

210毫欧@5.6A,10V

阈值电压

4V@250µA

连续漏极电流

9.4A

配置

单路

输入电容

330pF@25V

类型

1个N沟道

原始制造商

Infineon Technologies AG

原产国家

Germany

认证信息

RoHS

长x宽/尺寸

6.73 x 2.39mm

高度

8.51mm

引脚数

3Pin

存储温度

-55℃~+175℃

元件生命周期

Active

极性

N-沟道

击穿电压

100V

栅极源极击穿电压

±20V

反向传输电容Crss

54pF

充电电量

25nC

额定功率

48W

功率耗散

48W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)

210mΩ@10V,5.6A

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商品介绍

通孔 N 通道 100 V 9.4A(Tc) 48W(Tc) IPAK(TO-251AA)

标准包装

标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时,包装类型(即卷、管、盘)可能会发生变化,以实际包装交货为准。
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型号:HQT-I01
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
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型号:HQT-T02
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图片 型号/品牌 描述 技术文档 库存 参考价格 对比 操作
型号:IRFU120NPBF
MOSFETs
MOSFETs Infineon IRFU120NPBF
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IRFU120NPBF(Infineon)和UMK316BJ475KL-T(Taiyo Yuden)的区别
品牌:KEMET
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品牌:Samsung
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IRFU120NPBF(Infineon)和CL31A475KBHNNNE(Samsung)的区别
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IRFU120NPBF(Infineon)和1206X475K500NT(FH)的区别

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IRFU120NPBFInfineon 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 digikeytme 等渠道进行代购。 IRFU120NPBF 价格参考¥ 1.9118 。 Infineon IRFU120NPBF 封装/规格: TO-251(IPAK), 通孔 N 通道 100 V 9.4A(Tc) 48W(Tc) IPAK(TO-251AA)。你可以下载 IRFU120NPBF 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



手机版: IRFU120NPBF

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