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MOSFETs ON FDMS86101
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产品分类 | ||
封装/外壳 | PQFN8_4.9X5.8MM_EP | |
零件状态 | Active | |
系列 | PowerTrench® | |
是否无铅 | Yes | |
晶体管类型 | N沟道 | |
安装类型 | SMT | |
工作温度 | -55℃~+150℃(TJ) | |
湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8毫欧@13A，10V | |
阈值电压 | 4V@250µA | |
连续漏极电流 | 12.4A | |
配置 | 单路 | |
输入电容 | 3nF@50V | |
类型 | 1个N沟道 | |
原始制造商 | ON Semiconductor | |
原产国家 | America | |
印字代码 | FDMS86101 | |
认证信息 | RoHS | |
长x宽/尺寸 | 4.90 x 5.80mm | |
高度 | 1.10mm | |
引脚数 | 8Pin | |
存储温度 | -55℃~+150℃ | |
极性 | N-沟道 | |
击穿电压 | 100V | |
栅极源极击穿电压 | ±20V | |
反向传输电容Crss | 30pF | |
充电电量 | 55nC | |
额定功率 | 2.5W | |
功率耗散 | 2.5W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 8mΩ@10V,13A | |
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商品介绍
MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=12.4A RDS(ON)=8mΩ@10V PQFN8_4.9X5.8MM_EP
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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FDMS86101 由 ON 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 chip1stopfuture 等渠道进行代购。 FDMS86101 价格参考￥ 4.123 。 ON FDMS86101 封装/规格： PQFN8_4.9X5.8MM_EP, MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=12.4A RDS(ON)=8mΩ@10V PQFN8_4.9X5.8MM_EP。你可以下载 FDMS86101 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： FDMS86101
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