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通用三极管 ON SBC847BLT1G
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产品分类 | ||
封装/外壳 | SOT-23 | |
零件状态 | 在售 | |
跃迁频率 | 100MHz | |
DC电流增益(hFE) | 290 | |
是否无铅 | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 | |
晶体管类型 | NPN | |
集射极击穿电压Vce(Max) | 45V | |
安装类型 | SMT | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | |
Vce饱和压降 | 600mV | |
配置 | 单路 | |
原始制造商 | ON Semiconductor | |
原产国家 | America | |
印字代码 | 1F | |
长x宽/尺寸 | 2.90 x 1.30mm | |
高度 | 1.00mm | |
引脚数 | 3Pin | |
存储温度 | -55℃~+150℃ | |
集电极截止电流 (Icbo) | 15nA（ICBO） | |
集电极-基极电压（VCBO） | 50V | |
发射极与基极之间电压 VEBO | 6V | |
集电极-发射极电压 VCEO | 45V | |
功率耗散 | 300mW | |
集电极电流 Ic | 100mA | |
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商品介绍
晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：45V 集电极电流(Ic)：100mA 功率(Pd)：225mW 集电极截止电流(Icbo)：15nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：600mV@100mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：290@2mA,5V 特征频率(fT)：100MHz 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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SBC847BLT1G 由 ON 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 digikeychip1stoparrowtmefuture 等渠道进行代购。 SBC847BLT1G 价格参考￥ 0.60723 。 ON SBC847BLT1G 封装/规格： SOT-23, 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：45V 集电极电流(Ic)：100mA 功率(Pd)：225mW 集电极截止电流(Icbo)：15nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：600mV@100mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：290@2mA,5V 特征频率(fT)：100MHz 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 SBC847BLT1G 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 通用三极管 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： SBC847BLT1G
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