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MOSFETs ON 2N7002ET1G

数量国内含税
5+¥0.1808
20+¥0.16385
100+¥0.1469
500+¥0.12995
1000+¥0.12204
2000+¥0.11639

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1国内(含增税) 交期(工作日): 立即发货

库存:
447 (5起订)
批次:
2年内

数量:
X0.1808(单价)「卷装(TR)/3000」
总价:
¥ 0.904

  • 品       牌:ON(安森美)
  • 型       号: 2N7002ET1G
  • 商品编号: DS0075136
  • 封装规格: SOT-23
  • 商品描述: MOSFETs N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=260mA RDS(ON)=3Ω@4.5V SOT23-3

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产品分类

MOSFETs

封装/外壳

SOT-23

零件状态

Active

系列

-

是否无铅

Yes

晶体管类型

N沟道

安装类型

SMT

工作温度

-55℃~+150℃

湿气敏感性等级 (MSL)

1(无限)

漏源电压(Vdss)

60V

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

2.5欧姆@240mA,10V

阈值电压

2.5V@250µA

栅极电荷(Qg)

0.81nC

连续漏极电流

260mA

配置

单路

输入电容

26.7pF

类型

1个N沟道

原始制造商

ON Semiconductor

原产国家

America

认证信息

RoHS

长x宽/尺寸

2.90 x 1.30mm

高度

1.11mm

引脚数

3Pin

存储温度

-55℃~+150℃

元件生命周期

Active

极性

N-沟道

击穿电压

60V

栅极源极击穿电压

±20V

反向传输电容Crss

2.9pF

充电电量

0.81nC

额定功率

300mW

功率耗散

300mW

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)

2.5Ω@10V,240mA

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商品介绍

MOSFETs N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=260mA RDS(ON)=3Ω@4.5V SOT23-3

标准包装

标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时,包装类型(即卷、管、盘)可能会发生变化,以实际包装交货为准。
热销型号1 / 3
数据手册
型号:HQT-I01
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥19.9
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型号:HQT-T02
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥25.00331
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数据手册
品牌:Yageo
封装/规格:0603
¥0.01048
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数据手册
型号:CL10B104KB8NNNC
品牌:Samsung
封装/规格:0603
¥0.01133
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数据手册
型号:0805B104K500NT
品牌:FH
封装/规格:0805
¥0.01918
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图片 型号/品牌 描述 技术文档 库存 参考价格 对比 操作
型号:2N7002ET1G
品牌:ON(安森美)
MOSFETs
MOSFETs ON 2N7002ET1G
数据手册 447(1起订)

¥0.18080 ▼

数量国内含税

5 +¥0.18080

20 +¥0.16385

100 +¥0.14690

500 +¥0.12995

1000 +¥0.12204

2000 +¥0.11639

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2N7002ET1GON 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 future 等渠道进行代购。 2N7002ET1G 价格参考¥ 0.1808 。 ON 2N7002ET1G 封装/规格: SOT-23, MOSFETs N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=260mA RDS(ON)=3Ω@4.5V SOT23-3。你可以下载 2N7002ET1G 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



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