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MOSFETs Nexperia PSMN1R2-30YLC,115
- 品 牌：Nexperia(安世)
- 型 号： PSMN1R2-30YLC,115
- 商品编号： G3822936
- 封装规格： SOT669
- 商品描述： MOS管 N-channel Id=100A VDS=30V SOT669
- 商品详情
- 技术文档
- 相关问答
产品分类 | ||
封装/外壳 | SOT669 | |
零件状态 | 在售 | |
系列 | - | |
是否无铅 | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 | |
晶体管类型 | N沟道 | |
安装类型 | SMT | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.25毫欧@25A，10V | |
阈值电压 | 1.95V@1mA | |
栅极电荷(Qg) | 78nC | |
连续漏极电流 | 100A | |
配置 | 单路 | |
输入电容 | 5.093nF | |
原始制造商 | Nexperia Electronics Co. Ltd | |
原产国家 | Netherlands | |
长x宽/尺寸 | 5.00 x 4.10mm | |
高度 | 1.20mm | |
引脚数 | 8Pin | |
存储温度 | -55℃~+175℃ | |
极性 | N-沟道 | |
击穿电压 | 30V | |
栅极源极击穿电压 | ±20V | |
反向传输电容Crss | 333pF | |
充电电量 | 78nC | |
功率耗散 | 215W | |
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商品介绍
MOS管 N-channel Id=100A VDS=30V SOT669
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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手机版： PSMN1R2-30YLC,115
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