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MOSFETs Nexperia PMDT290UCE,115

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  • 品       牌:Nexperia(安世)
  • 型       号:PMDT290UCE,115
  • 商品编号:DS0103399
  • 封装规格:SOT666
  • 商品描述: 类型:1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):800mA;550mA 功率(Pd):330mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):290mΩ@4.5V,500mA;670mΩ@4.5V,400mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):750mV@250uA;800mV@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):450pC@4.5V;760pC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds):55pF@10V;58pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds):7pF@10V;
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型号:PMDT290UCE,115
MOSFETs
MOSFETs Nexperia PMDT290UCE,115
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PMDT290UCE,115Nexperia 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 arrowfuture 等渠道进行代购。 PMDT290UCE,115 价格参考¥ 0 。 Nexperia PMDT290UCE,115 封装/规格: SOT666, 类型:1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):800mA;550mA 功率(Pd):330mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):290mΩ@4.5V,500mA;670mΩ@4.5V,400mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):750mV@250uA;800mV@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):450pC@4.5V;760pC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds):55pF@10V;58pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds):7pF@10V;。你可以下载 PMDT290UCE,115 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



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