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MOSFETs DIODES DMN2300UFB4-7B
- 品 牌：DIODES(美台)
- 型 号： DMN2300UFB4-7B
- 商品编号： G3522912
- 封装规格： DFN1006-3
- 商品描述： 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
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产品分类 | ||
封装/外壳 | DFN1006-3 | |
零件状态 | Active | |
系列 | - | |
是否无铅 | Yes | |
晶体管类型 | N沟道 | |
安装类型 | SMT | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | 175毫欧@300mA，4.5V | |
阈值电压 | 950mV | |
栅极电荷(Qg) | 1.6nC | |
连续漏极电流 | 1.3A | |
配置 | 单路 | |
输入电容 | 64.3pF | |
类型 | 1个N沟道 | |
原始制造商 | Diodes Incorporated | |
原产国家 | America | |
长x宽/尺寸 | 1.00 x 0.60mm | |
高度 | 0.40mm | |
元件生命周期 | Active | |
极性 | N-沟道 | |
栅极源极击穿电压 | ±8V | |
反向传输电容Crss | 4.5pF | |
充电电量 | 1.6nC | |
额定功率 | 500mW | |
功率耗散 | 500mW | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 175mΩ@4.5V,300mA | |
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商品介绍
20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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DMN2300UFB4-7B 由 DIODES 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 rschip1stop 等渠道进行代购。 DMN2300UFB4-7B 价格参考￥ 0.2838 。 DIODES DMN2300UFB4-7B 封装/规格： DFN1006-3, 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET。你可以下载 DMN2300UFB4-7B 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： DMN2300UFB4-7B
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