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MOSFETs WINSOK WSD30100DN56
- 品 牌：WINSOK(微硕)
- 型 号： WSD30100DN56
- 商品编号： G4220490
- 封装规格： DFN8_4.9X5.75MM
- 商品描述： MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=100A RDS(ON)=4mΩ@10V
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产品分类 | ||
封装/外壳 | DFN8_4.9X5.75MM | |
晶体管类型 | N沟道 | |
安装类型 | SMT | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
漏极电流 | 100A | |
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4mΩ | |
阈值电压 | 1.8V@250µA | |
连续漏极电流 | 100A | |
配置 | 单路 | |
输入电容 | 1.35nF | |
类型 | 1个N沟道 | |
原始制造商 | Winsok power Semiconductor CO., LTD | |
原产国家 | China | |
长x宽/尺寸 | 4.90 x 5.75mm | |
高度 | 1.17mm | |
引脚数 | 8Pin | |
存储温度 | -55℃~+150℃ | |
极性 | N-沟道 | |
击穿电压 | 30V | |
栅极源极击穿电压 | ±20V | |
反向传输电容Crss | 65pF | |
充电电量 | 9.2nC | |
额定功率 | 46.3W | |
功率耗散 | 46.3W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 4mΩ@10V,20A | |
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商品介绍
MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=100A RDS(ON)=4mΩ@10V
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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WSD30100DN56 由 WINSOK 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 WSD30100DN56 价格参考￥ 1.1875 。 WINSOK WSD30100DN56 封装/规格： DFN8_4.9X5.75MM, MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=100A RDS(ON)=4mΩ@10V。你可以下载 WSD30100DN56 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： WSD30100DN56
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