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MOSFETs WINSOK WSD30L30DN
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- 品 牌：WINSOK(微硕)
- 型 号： WSD30L30DN
- 商品编号： G4220477
- 封装规格： DFN8_3X3MM
- 商品描述： MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=32A RDS(ON)=19mΩ@10V
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产品分类 | ||
封装/外壳 | DFN8_3X3MM | |
晶体管类型 | P沟道 | |
安装类型 | SMT | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
漏极电流 | -32A | |
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | 19mΩ | |
阈值电压 | 1.8V@250µA | |
连续漏极电流 | 32A | |
配置 | 单路 | |
输入电容 | 1nF | |
原始制造商 | Winsok power Semiconductor CO., LTD | |
原产国家 | China | |
长x宽/尺寸 | 3.00 x 3.00mm | |
高度 | 1.00mm | |
引脚数 | 8Pin | |
存储温度 | -55℃~+150℃ | |
极性 | P-沟道 | |
击穿电压 | 30V | |
栅极源极击穿电压 | ±20V | |
反向传输电容Crss | 170pF | |
功率耗散 | 29.8W | |
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商品介绍
MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=32A RDS(ON)=19mΩ@10V
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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WSD30L30DN 由 WINSOK 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 WSD30L30DN 价格参考￥ 0.9255 。 WINSOK WSD30L30DN 封装/规格： DFN8_3X3MM, MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=32A RDS(ON)=19mΩ@10V。你可以下载 WSD30L30DN 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： WSD30L30DN
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