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MOSFETs WINSOK WSD20L120DN56
- 品 牌：WINSOK(微硕)
- 型 号： WSD20L120DN56
- 商品编号： G4220466
- 封装规格： DFN8_5X6MM
- 商品描述： MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±10V ID=120A RDS(ON)=2.7mΩ@4.5V
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产品分类 | ||
封装/外壳 | DFN8_5X6MM | |
零件状态 | Active | |
晶体管类型 | P沟道 | |
安装类型 | SMT | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
漏极电流 | -120A | |
阈值电压 | 600mV@250µA | |
连续漏极电流 | 120A | |
配置 | 单路 | |
输入电容 | 4.95nF | |
类型 | 1个P沟道 | |
原始制造商 | Winsok power Semiconductor CO., LTD | |
原产国家 | China | |
长x宽/尺寸 | 4.90 x 5.75mm | |
高度 | 1.17mm | |
引脚数 | 8Pin | |
存储温度 | -55℃~+150℃ | |
元件生命周期 | Active | |
极性 | P-沟道 | |
击穿电压 | 20V | |
栅极源极击穿电压 | ±10V | |
反向传输电容Crss | 290pF | |
充电电量 | 100nC | |
额定功率 | 130W | |
功率耗散 | 130W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.1mΩ@4.5V,20A | |
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商品介绍
MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±10V ID=120A RDS(ON)=2.7mΩ@4.5V
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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WSD20L120DN56 由 WINSOK 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 WSD20L120DN56 价格参考￥ 3.255 。 WINSOK WSD20L120DN56 封装/规格： DFN8_5X6MM, MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±10V ID=120A RDS(ON)=2.7mΩ@4.5V。你可以下载 WSD20L120DN56 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： WSD20L120DN56
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