上传BOM 
购物车
MOSFETs Infineon IRF7341TRPBF
- 品 牌：Infineon(英飞凌)
- 型 号： IRF7341TRPBF
- 商品编号： G0344199
- 封装规格： SOIC8_150MIL
- 商品描述： MOSFETs Dual N-Channel 55V 4.7A SOIC8
EDA模型
查看详情
- 商品详情
- EDA模型
- PDF数据手册
- 技术文档
- 相关问答
产品分类 | ||
封装/外壳 | SOIC8_150MIL | |
零件状态 | Active | |
系列 | HEXFET® | |
是否无铅 | Yes | |
晶体管类型 | 2个N沟道(双) | |
安装类型 | SMT | |
工作温度 | -55℃~+150℃(TJ) | |
湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | |
漏源电压(Vdss) | 55V | |
漏极电流 | 4.7A | |
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | 50毫欧@4.7A，10V | |
阈值电压 | 1V | |
栅极电荷(Qg) | 36nC | |
连续漏极电流 | 4.7A | |
配置 | 双路 | |
输入电容 | 740pF@25V | |
类型 | 2个N沟道 | |
原始制造商 | Infineon Technologies AG | |
原产国家 | Germany | |
认证信息 | RoHS | |
长x宽/尺寸 | 5.00 x 4.00mm | |
高度 | 1.75mm | |
引脚数 | 8Pin | |
存储温度 | -55℃~+150℃ | |
元件生命周期 | Active | |
极性 | N-沟道 | |
击穿电压 | 55V | |
栅极源极击穿电压 | ±20V | |
反向传输电容Crss | 71pF | |
充电电量 | 24nC | |
额定功率 | 2W | |
功率耗散 | 2W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 50mΩ@10V,4.7A | |
| 查找近似商品 | ||
商品介绍
MOSFETs Dual N-Channel 55V 4.7A SOIC8
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
下载EDA模型
- 型号推荐
- 最新产品推荐
- 品牌分类
| ON品牌的MOSFETsON品牌的晶体管OTHER品牌的MOSFETsOTHER品牌的晶体管Infineon品牌的MOSFETsInfineon品牌的晶体管Ruichips品牌的MOSFETsRuichips品牌的晶体管NCE品牌的MOSFETsNCE品牌的晶体管IXYS品牌的MOSFETsIXYS品牌的晶体管 |
IRF7341TRPBF 由 Infineon 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 digikeycorestaff 等渠道进行代购。 IRF7341TRPBF 价格参考￥ 1.31348 。 Infineon IRF7341TRPBF 封装/规格： SOIC8_150MIL, MOSFETs Dual N-Channel 55V 4.7A SOIC8。你可以下载 IRF7341TRPBF 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： IRF7341TRPBF
工商网监 