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MOSFETs Vishay SI2309CDS-T1-GE3 替代
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- 品 牌：Vishay(威世)
- 型 号： SI2309CDS-T1-GE3
- 商品编号： G0058190
- 封装规格： SOT-23
- 商品描述： 表面贴装型 P 通道 60 V 1.6A（Tc） 1W（Ta），1.7W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
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产品分类 | ||
封装/外壳 | SOT-23 | |
零件状态 | Active | |
系列 | TrenchFET® | |
是否无铅 | Yes | |
晶体管类型 | P沟道 | |
安装类型 | SMT | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
漏极电流 | 1.6A | |
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | 345毫欧@1.25A，10V | |
阈值电压 | 3V@250µA | |
连续漏极电流 | 1.6A | |
配置 | 单路 | |
输入电容 | 210pF@30V | |
类型 | 1个P沟道 | |
原始制造商 | Vishay Intertechnology, Inc. | |
原产国家 | America | |
长x宽/尺寸 | 2.95 x 1.30mm | |
高度 | 1.00mm | |
引脚数 | 3Pin | |
存储温度 | -55℃~+150℃ | |
元件生命周期 | Active | |
极性 | P-沟道 | |
击穿电压 | 60V | |
栅极源极击穿电压 | ±20V | |
反向传输电容Crss | 50pF | |
充电电量 | 2.7nC | |
额定功率 | 1W,1.7W | |
功率耗散 | 1.7W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 345mΩ@10V,1.25A | |
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商品介绍
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| 图片 | 型号/品牌 | 描述 | 技术文档 | 库存 | 参考价格 | 对比 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 型号：SI2309CDS-T1-GE3 品牌：Vishay(威世) | MOSFETs MOSFETs Vishay SI2309CDS-T1-GE3 | 数据手册 | 3386（1起订） | ¥0.66022 ▼ 数量国内含税 5 +￥0.66022 20 +￥0.59909 100 +￥0.53796 500 +￥0.47683 1000 +￥0.44830 2000 +￥0.42792 | 当前型号 | 加入购物车 |
 | PIN to PIN | MOSFETs | 数据手册 | 0（10起订） | ¥3.46500 ▼ 数量国内含税 1 +￥3.46500 10 +￥3.15000 30 +￥2.94000 100 +￥2.62500 500 +￥2.47800 1000 +￥2.37300 | SI2309CDS-T1-GE3(Vishay)和ZXMP6A13FTA(DIODES)的区别 | |
 | PIN to PIN | MOSFETs | 数据手册 | 0（10起订） | ¥5.26509 ▼ 数量国内含税 1 +￥5.26509 10 +￥4.85503 30 +￥4.77302 100 +￥4.52698 | SI2309CDS-T1-GE3(Vishay)和SI2337DS-T1-E3(Vishay)的区别 | |
 | PIN to PIN | MOSFETs | 数据手册 | --- | --- | --- | |
 | PIN to PIN | 陶瓷电容/独石电容 | --- | --- | --- | --- | |
| PIN to PIN | | --- | --- | --- | --- |
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SI2309CDS-T1-GE3 由 Vishay 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 digikeyrscorestaff 等渠道进行代购。 SI2309CDS-T1-GE3 价格参考￥ 0.66022 。 Vishay SI2309CDS-T1-GE3 封装/规格： SOT-23, 表面贴装型 P 通道 60 V 1.6A（Tc） 1W（Ta），1.7W（Tc） SOT-23-3（TO-236）。你可以下载 SI2309CDS-T1-GE3 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： SI2309CDS-T1-GE3
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