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MOSFETs ON FQT1N60CTF-WS

  • 品       牌:ON(安森美)
  • 型       号: FQT1N60CTF-WS
  • 商品编号: DS0138902
  • 封装规格: SOT-223-3
  • 商品描述: MOS管 N-Channel VDS=600V VGS=±20V ID=200mA RDS(ON)=11.5Ω@10V SOT223

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产品分类

MOSFETs

封装/外壳

SOT-223-3

零件状态

Active

是否无铅

Yes

晶体管类型

N沟道

安装类型

SMT

工作温度

-55℃~+150℃

漏源电压(Vdss)

600V

漏极电流

200mA

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

11.5Ω

阈值电压

4V@250µA

连续漏极电流

200mA

配置

单路

输入电容

130pF

类型

1个N沟道

原始制造商

ON Semiconductor

原产国家

America

认证信息

RoHS

长x宽/尺寸

6.50 x 3.50mm

高度

1.80mm

引脚数

4Pin

存储温度

-55℃~+150℃

极性

N-沟道

击穿电压

600V

栅极源极击穿电压

±30V

反向传输电容Crss

3.5pF

充电电量

4.8nC

额定功率

2.1W

功率耗散

2.1W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)

11.5Ω@10V,100mA

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商品介绍

MOS管 N-Channel VDS=600V VGS=±20V ID=200mA RDS(ON)=11.5Ω@10V SOT223

标准包装

标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时,包装类型(即卷、管、盘)可能会发生变化,以实际包装交货为准。
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型号:HQT-I01
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
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型号:HQT-T02
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品牌:Yageo
封装/规格:0603
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型号:CL10B104KB8NNNC
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图片 型号/品牌 描述 技术文档 库存 参考价格 对比 操作
型号:FQT1N60CTF-WS
品牌:ON(安森美)
MOSFETs
MOSFETs ON FQT1N60CTF-WS
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FQT1N60CTF-WSON 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 digikeyrschip1stopfuture 等渠道进行代购。 FQT1N60CTF-WS 价格参考¥ 0 。 ON FQT1N60CTF-WS 封装/规格: SOT-223-3, MOS管 N-Channel VDS=600V VGS=±20V ID=200mA RDS(ON)=11.5Ω@10V SOT223。你可以下载 FQT1N60CTF-WS 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



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