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MOSFETs Infineon IRLR120NTRPBF 替代

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500+¥1.5725
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产品分类

MOSFETs

封装/外壳

TO-252AA(D-PAK)

零件状态

Active

系列

HEXFET®

是否无铅

Yes

晶体管类型

N沟道

安装类型

SMT

工作温度

-55℃~+175℃

湿气敏感性等级 (MSL)

1(无限)

漏源电压(Vdss)

100V

漏极电流

10A

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

185毫欧@6A,10V

阈值电压

2V@250µA

连续漏极电流

10A

配置

单路

输入电容

440pF@25V

类型

1个N沟道

原始制造商

Infineon Technologies AG

原产国家

Germany

认证信息

RoHS

长x宽/尺寸

6.70 x 6.20mm

高度

2.39mm

引脚数

3Pin

存储温度

-55℃~+175℃

元件生命周期

Active

极性

N-沟道

击穿电压

100V

栅极源极击穿电压

±16V

反向传输电容Crss

50pF

充电电量

20nC

额定功率

48W

功率耗散

48W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)

185mΩ@10V,6A

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商品介绍

表面贴装型 N 通道 100 V 10A(Tc) 48W(Tc) D-Pak

标准包装

标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时,包装类型(即卷、管、盘)可能会发生变化,以实际包装交货为准。
热销型号1 / 3
数据手册
型号:HQT-I01
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥19.9
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型号:HQT-T02
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥25.00331
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数据手册
品牌:Yageo
封装/规格:0603
¥0.01048
购买
数据手册
型号:CL10B104KB8NNNC
品牌:Samsung
封装/规格:0603
¥0.01168
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数据手册
型号:CL10A105KB8NNNC
品牌:Samsung
封装/规格:0603
¥0.02309
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近似替代型号( 推荐替代型号供参考,请核对商品参数后再下单 )

图片 型号/品牌 描述 技术文档 库存 参考价格 对比 操作
型号:IRLR120NTRPBF
MOSFETs
MOSFETs Infineon IRLR120NTRPBF
数据手册 668(1起订)

¥1.93500 ▼

数量国内含税

1 +¥1.93500

30 +¥1.86250

100 +¥1.71750

500 +¥1.57250

1000 +¥1.50000

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型号: HC-1.25-2AW
品牌:HCTL
PIN to PIN
线对板连接器
数据手册
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IRLR120NTRPBF(Infineon)和HC-1.25-2AW(HCTL)的区别
品牌:
PIN to PIN
线对板连接器
数据手册
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型号: M30-4100246
品牌:
PIN to PIN
线对板连接器
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IRLR120NTRPBFInfineon 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 digikeyrsfutureelement14 等渠道进行代购。 IRLR120NTRPBF 价格参考¥ 1.935 。 Infineon IRLR120NTRPBF 封装/规格: TO-252AA(D-PAK), 表面贴装型 N 通道 100 V 10A(Tc) 48W(Tc) D-Pak。你可以下载 IRLR120NTRPBF 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



手机版: IRLR120NTRPBF

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