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MOSFETs Vishay SI1308EDL-T1-GE3 替代
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- 品 牌：Vishay(威世)
- 型 号： SI1308EDL-T1-GE3
- 商品编号： G3823082
- 封装规格： SOT-323
- 商品描述： MOSFET SOT323 N-Channel ID=1.4A
- 商品详情
- 技术文档
- 相关问答
产品分类 | ||
封装/外壳 | SOT-323 | |
零件状态 | Active | |
系列 | TrenchFET® | |
是否无铅 | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 | |
晶体管类型 | N沟道 | |
安装类型 | SMT | |
工作温度 | -55℃~+150℃(TJ) | |
湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
漏极电流 | 1.4A | |
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | 132毫欧@1.4A，10V | |
阈值电压 | 1.5V@250µA | |
栅极电荷(Qg) | 4.1nC | |
连续漏极电流 | 1.4A | |
配置 | 单路 | |
输入电容 | 105pF | |
类型 | 1个N沟道 | |
原始制造商 | Vishay Intertechnology, Inc. | |
原产国家 | America | |
长x宽/尺寸 | 2.20 x 1.35mm | |
高度 | 1.10mm | |
引脚数 | 3Pin | |
存储温度 | -55℃~+150℃ | |
元件生命周期 | Active | |
极性 | N-沟道 | |
击穿电压 | 30V | |
栅极源极击穿电压 | ±12V | |
反向传输电容Crss | 11pF | |
充电电量 | 2.7nC | |
额定功率 | 400mW,500mW | |
功率耗散 | 500mW | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 132mΩ@10V,1.4A | |
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商品介绍
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| 图片 | 型号/品牌 | 描述 | 技术文档 | 库存 | 参考价格 | 对比 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 型号：SI1308EDL-T1-GE3 品牌：Vishay(威世) | MOSFETs MOSFETs Vishay SI1308EDL-T1-GE3 | 数据手册 | 4683（1起订） | ¥0.78200 ▼ 数量国内含税 10 +￥0.78200 100 +￥0.71300 500 +￥0.64400 1000 +￥0.57500 2000 +￥0.52900 4000 +￥0.51520 | 当前型号 | 加入购物车 |
 | PIN to PIN | 贴片电容（MLCC） | 数据手册 | --- | --- | SI1308EDL-T1-GE3(Vishay)和GCJ31CC71E106KA15L(Murata)的区别 | |
 | PIN to PIN | 贴片电容（MLCC） | 数据手册 | 4518（20起订） | ¥0.76500 ▼ 数量国内含税 5 +￥0.76500 20 +￥0.69750 100 +￥0.63000 500 +￥0.56250 1000 +￥0.53100 2000 +￥0.50850 | SI1308EDL-T1-GE3(Vishay)和GCM31CC71E106KA03L(Murata)的区别 | |
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| PIN to PIN | 贴片电容（MLCC） | 数据手册 | 4518（20起订） | ¥0.76500 ▼ 数量国内含税 5 +￥0.76500 20 +￥0.69750 100 +￥0.63000 500 +￥0.56250 1000 +￥0.53100 2000 +￥0.50850 | SI1308EDL-T1-GE3(Vishay)和GCM31CC71E106KA03L(Murata)的区别 |
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SI1308EDL-T1-GE3 由 Vishay 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 chip1stopfuturetme 等渠道进行代购。 SI1308EDL-T1-GE3 价格参考￥ 0.782 。 Vishay SI1308EDL-T1-GE3 封装/规格： SOT-323, MOSFET SOT323 N-Channel ID=1.4A。你可以下载 SI1308EDL-T1-GE3 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： SI1308EDL-T1-GE3
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