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MOSFETs Vishay SQ2361AEES-T1_GE3
- 品 牌：Vishay(威世)
- 型 号： SQ2361AEES-T1_GE3
- 商品编号： G0063249
- 封装规格： SOT-23
- 商品描述： MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=2.8A RDS(ON)=170mΩ@10V SOT23-3
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产品分类 | ||
封装/外壳 | SOT-23 | |
零件状态 | Active | |
系列 | Automotive,AEC-Q101,TrenchFET® | |
是否无铅 | Yes | |
晶体管类型 | P沟道 | |
安装类型 | SMT | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
漏极电流 | 2.8A | |
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | 170毫欧@2.4A，10V | |
阈值电压 | 2.5V@250µA | |
连续漏极电流 | 2.8A | |
配置 | 单路 | |
输入电容 | 620pF@30V | |
类型 | 1个P沟道 | |
原始制造商 | Vishay Intertechnology, Inc. | |
原产国家 | America | |
长x宽/尺寸 | 2.92 x 1.30mm | |
高度 | 1.12mm | |
引脚数 | 3Pin | |
存储温度 | -55℃~+175℃ | |
元件生命周期 | Active | |
极性 | P-沟道 | |
击穿电压 | 60V | |
栅极源极击穿电压 | ±20V | |
反向传输电容Crss | 32pF | |
充电电量 | 10nC | |
额定功率 | 2W | |
功率耗散 | 2W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 170mΩ@10V,2.4A | |
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商品介绍
MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=2.8A RDS(ON)=170mΩ@10V SOT23-3
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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SQ2361AEES-T1_GE3 由 Vishay 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 digikeyickey 等渠道进行代购。 SQ2361AEES-T1_GE3 价格参考￥ 1.815 。 Vishay SQ2361AEES-T1_GE3 封装/规格： SOT-23, MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=2.8A RDS(ON)=170mΩ@10V SOT23-3。你可以下载 SQ2361AEES-T1_GE3 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： SQ2361AEES-T1_GE3
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