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MOSFETs Infineon IRF640NPBF
- 品 牌：Infineon(英飞凌)
- 型 号： IRF640NPBF
- 商品编号： G0318884
- 封装规格： TO220AB
- 商品描述： MOSFETs 200V 150W DIP TO220AB 18A N-Channel
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产品分类 | ||
封装/外壳 | TO220AB | |
零件状态 | Active | |
系列 | HEXFET® | |
是否无铅 | Yes | |
晶体管类型 | N沟道 | |
安装类型 | 插件 | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | |
漏源电压(Vdss) | 220V | |
漏极电流 | 0.25mA | |
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | - | |
阈值电压 | 4V@250µA | |
栅极电荷(Qg) | 67nC | |
连续漏极电流 | 18A | |
配置 | 单路 | |
输入电容 | 1.16nF | |
类型 | 1个N沟道 | |
原始制造商 | Infineon Technologies AG | |
原产国家 | Germany | |
认证信息 | RoHS | |
长x宽/尺寸 | 10.54 x 4.69mm | |
高度 | 15.24mm | |
引脚数 | 3Pin | |
存储温度 | -55℃~+175℃ | |
元件生命周期 | Active | |
极性 | N-沟道 | |
击穿电压 | 200V | |
栅极源极击穿电压 | ±20V | |
反向传输电容Crss | 53pF | |
充电电量 | 67nC | |
额定功率 | 150W | |
功率耗散 | 150W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 150mΩ@10V,11A | |
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商品介绍
MOSFETs 200V 150W DIP TO220AB 18A N-Channel
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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IRF640NPBF 由 Infineon 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 ickey 等渠道进行代购。 IRF640NPBF 价格参考￥ 1.1592 。 Infineon IRF640NPBF 封装/规格： TO220AB, MOSFETs 200V 150W DIP TO220AB 18A N-Channel。你可以下载 IRF640NPBF 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： IRF640NPBF
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