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MOSFETs ON FDV301N
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产品分类 | ||
封装/外壳 | SOT-23 | |
零件状态 | Active | |
系列 | - | |
是否无铅 | Yes | |
晶体管类型 | N沟道 | |
安装类型 | SMT | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | |
漏源电压(Vdss) | 25V | |
漏极电流 | 220mA | |
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4欧姆@400mA，4.5V | |
阈值电压 | 1.06V@250µA | |
栅极电荷(Qg) | 0.7nC | |
连续漏极电流 | 220mA | |
配置 | 单路 | |
输入电容 | 9.5pF | |
类型 | 1个N沟道 | |
原始制造商 | ON Semiconductor | |
原产国家 | America | |
认证信息 | RoHS | |
长x宽/尺寸 | 2.90 x 1.30mm | |
高度 | 1.20mm | |
引脚数 | 3Pin | |
存储温度 | -55℃~+150℃ | |
极性 | N-沟道 | |
击穿电压 | 25V | |
栅极源极击穿电压 | ±8V | |
反向传输电容Crss | 1.3pF | |
充电电量 | 0.49nC | |
额定功率 | 350mW | |
功率耗散 | 350mW | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 4Ω@4.5V,400mA | |
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商品介绍
MOS管 N-Channel VDS=25V VGS=±8V ID=220mA RDS(ON)=4Ω@4.5V SOT23
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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