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MOSFETs DIODES DMN5L06DWK-7
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- 品 牌：DIODES(美台)
- 型 号： DMN5L06DWK-7
- 商品编号： G3517644
- 封装规格： SOT-363
- 商品描述： 双N沟道增强型MOSFET VDS=50V ID=1.4A SOT363
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产品分类 | ||
封装/外壳 | SOT-363 | |
零件状态 | Active | |
系列 | - | |
是否无铅 | Yes | |
晶体管类型 | 2个N沟道(双) | |
安装类型 | SMT | |
工作温度 | -65℃~+150℃(TJ) | |
湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | |
漏源电压(Vdss) | 50V | |
漏极电流 | 305mA | |
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | - | |
阈值电压 | 1V | |
栅极电荷(Qg) | 0.4nC | |
连续漏极电流 | 1.4A | |
输入电容 | 50pF | |
类型 | 2个N沟道 | |
原始制造商 | Diodes Incorporated | |
原产国家 | America | |
长x宽/尺寸 | 2.00 x 1.25mm | |
高度 | 1.00mm | |
引脚数 | 6Pin | |
元件生命周期 | Active | |
极性 | N-沟道 | |
栅极源极击穿电压 | ±20V | |
反向传输电容Crss | 5pF | |
充电电量 | 0.4nC | |
额定功率 | 250mW | |
功率耗散 | 250mW | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2Ω@5V,50mA | |
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商品介绍
双N沟道增强型MOSFET VDS=50V ID=1.4A SOT363
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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DMN5L06DWK-7 由 DIODES 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 DMN5L06DWK-7 价格参考￥ 0.62958 。 DIODES DMN5L06DWK-7 封装/规格： SOT-363, 双N沟道增强型MOSFET VDS=50V ID=1.4A SOT363。你可以下载 DMN5L06DWK-7 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： DMN5L06DWK-7
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