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MOSFETs DIODES DMG3414U-7
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- 品 牌：DIODES(美台)
- 型 号： DMG3414U-7
- 商品编号： G3522886
- 封装规格： SOT-23
- 商品描述： N沟道 VDS=20V VGS=±8V ID=4.2A P=780mW
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产品分类 | ||
封装/外壳 | SOT-23 | |
零件状态 | Active | |
系列 | - | |
是否无铅 | No | |
晶体管类型 | N沟道 | |
安装类型 | SMT | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
漏极电流 | 4.2A | |
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | 25毫欧@8.2A，4.5V | |
阈值电压 | 900mV | |
栅极电荷(Qg) | 9.6nC | |
连续漏极电流 | 4.2A | |
输入电容 | 829.9pF | |
类型 | N沟道 | |
长x宽/尺寸 | 2.90 x 1.30mm | |
高度 | 1.10mm | |
引脚数 | 3Pin | |
极性 | N-沟道 | |
击穿电压 | 20V | |
栅极源极击穿电压 | ±8V | |
反向传输电容Crss | 81.2pF | |
充电电量 | 9.6nC | |
额定功率 | 780mW | |
功率耗散 | 780mW | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 25mΩ@4.5V,8.2A | |
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商品介绍
N沟道 VDS=20V VGS=±8V ID=4.2A P=780mW
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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DMG3414U-7 由 DIODES 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 digikeyrschip1stopfuture 等渠道进行代购。 DMG3414U-7 价格参考￥ 0.61472 。 DIODES DMG3414U-7 封装/规格： SOT-23, N沟道 VDS=20V VGS=±8V ID=4.2A P=780mW。你可以下载 DMG3414U-7 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： DMG3414U-7
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