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MOSFETs Vishay SI3456DDV-T1-GE3 替代
- 品 牌：Vishay(威世)
- 型 号： SI3456DDV-T1-GE3
- 商品编号： G3703305
- 封装规格： TSOP6
- 商品描述： 表面贴装型 N 通道 30 V 6.3A（Tc） 1.7W（Ta），2.7W（Tc） 6-TSOP
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产品分类 | ||
封装/外壳 | TSOP6 | |
零件状态 | Active | |
系列 | TrenchFET® | |
是否无铅 | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 | |
晶体管类型 | N沟道 | |
安装类型 | SMT | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
漏极电流 | 6.3A | |
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | 40毫欧@5A，10V | |
阈值电压 | 3V@250µA | |
连续漏极电流 | 6.3A | |
配置 | 单路 | |
输入电容 | 325pF | |
类型 | 1个N沟道 | |
原始制造商 | Vishay Intertechnology, Inc. | |
原产国家 | America | |
长x宽/尺寸 | 3.05 x 1.65mm | |
高度 | 1.00mm | |
引脚数 | 6Pin | |
存储温度 | -55℃~+150℃ | |
元件生命周期 | Active | |
极性 | N-沟道 | |
击穿电压 | 30V | |
栅极源极击穿电压 | ±20V | |
反向传输电容Crss | 30pF | |
充电电量 | 6nC | |
额定功率 | 2.7W | |
功率耗散 | 1.7W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 40mΩ@10V,5A | |
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商品介绍
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| 图片 | 型号/品牌 | 描述 | 技术文档 | 库存 | 参考价格 | 对比 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 型号：SI3456DDV-T1-GE3 品牌：Vishay(威世) | MOSFETs MOSFETs Vishay SI3456DDV-T1-GE3 | 数据手册 | 2997（1起订） | ¥1.52206 ▼ 数量国内含税 10 +￥1.52206 100 +￥1.38776 500 +￥1.25346 1000 +￥1.11916 2000 +￥1.02963 4000 +￥1.00277 | 当前型号 | 加入购物车 |
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SI3456DDV-T1-GE3 由 Vishay 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 digikeychip1stopfuture 等渠道进行代购。 SI3456DDV-T1-GE3 价格参考￥ 1.52206 。 Vishay SI3456DDV-T1-GE3 封装/规格： TSOP6, 表面贴装型 N 通道 30 V 6.3A（Tc） 1.7W（Ta），2.7W（Tc） 6-TSOP。你可以下载 SI3456DDV-T1-GE3 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： SI3456DDV-T1-GE3
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