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MOSFETs Vishay SI2333CDS-T1-GE3 替代
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- 品 牌：Vishay(威世)
- 型 号： SI2333CDS-T1-GE3
- 商品编号： G0083358
- 封装规格： SOT-23
- 商品描述： MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±8V ID=5.1A RDS(ON)=35mΩ@4.5V SOT23-3
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产品分类 | ||
封装/外壳 | SOT-23 | |
零件状态 | Active | |
系列 | TrenchFET® | |
是否无铅 | Yes | |
晶体管类型 | P沟道 | |
安装类型 | SMT | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | |
漏源电压(Vdss) | 12V | |
漏极电流 | 7.1A | |
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | 35毫欧@5.1A，4.5V | |
阈值电压 | 1V@250µA | |
连续漏极电流 | 5.1A | |
配置 | 单路 | |
输入电容 | 1.225nF@6V | |
类型 | 1个P沟道 | |
原始制造商 | Vishay Intertechnology, Inc. | |
原产国家 | America | |
长x宽/尺寸 | 2.95 x 1.30mm | |
高度 | 1.00mm | |
引脚数 | 3Pin | |
存储温度 | -55℃~+150℃ | |
元件生命周期 | Active | |
极性 | P-沟道 | |
击穿电压 | 12V | |
栅极源极击穿电压 | ±8V | |
反向传输电容Crss | 260pF | |
充电电量 | 15nC | |
额定功率 | 1.25W,2.5W | |
功率耗散 | 1.25W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 35mΩ@4.5V,5.1A | |
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商品介绍
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| 图片 | 型号/品牌 | 描述 | 技术文档 | 库存 | 参考价格 | 对比 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 型号：SI2333CDS-T1-GE3 品牌：Vishay(威世) | MOSFETs MOSFETs Vishay SI2333CDS-T1-GE3 | 数据手册 | 683（1起订） | ¥1.08416 ▼ 数量国内含税 1 +￥1.08416 10 +￥0.99456 30 +￥0.97664 100 +￥0.92288 | 当前型号 | 加入购物车 |
 | PIN to PIN | 运算放大器 | 数据手册 | 6458（30起订） | ¥1.26720 ▼ 数量国内含税 1 +￥1.26720 30 +￥1.22320 100 +￥1.13520 500 +￥1.04720 1000 +￥1.00320 | SI2333CDS-T1-GE3(Vishay)和MCP6001T-I/OT(Microchip)的区别 | |
 | PIN to PIN | 运算放大器 | 数据手册 | 0（20起订） | ¥0.54400 ▼ 数量国内含税 5 +￥0.54400 20 +￥0.49600 100 +￥0.44800 500 +￥0.40000 1000 +￥0.37760 2000 +￥0.36160 | SI2333CDS-T1-GE3(Vishay)和GS6001-TR(Gainsil)的区别 | |
 | PIN to PIN | 运算放大器 | 数据手册 | --- | --- | --- |
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SI2333CDS-T1-GE3 由 Vishay 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 digikeychip1stoparrowavnettmequestcomponentsfuture 等渠道进行代购。 SI2333CDS-T1-GE3 价格参考￥ 1.08416 。 Vishay SI2333CDS-T1-GE3 封装/规格： SOT-23, MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±8V ID=5.1A RDS(ON)=35mΩ@4.5V SOT23-3。你可以下载 SI2333CDS-T1-GE3 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： SI2333CDS-T1-GE3
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