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MOSFETs Toshiba SSM3K35AMFV,L3F 替代
- 品 牌：Toshiba(东芝)
- 型 号： SSM3K35AMFV,L3F
- 商品编号： G3696015
- 封装规格： SOT-723-3
- 商品描述： 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：250mA 功率(Pd)：500mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.1Ω@4.5V,150mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@100uA
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产品分类 | ||
封装/外壳 | SOT-723-3 | |
零件状态 | Active | |
晶体管类型 | N沟道 | |
安装类型 | SMT | |
工作温度 | +150℃ | |
湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
漏极电流 | 250mA | |
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.1欧姆@150mA，4.5V | |
阈值电压 | 1V@100µA | |
栅极电荷(Qg) | 0.34nC | |
连续漏极电流 | 250mA | |
配置 | 单路 | |
输入电容 | 36pF@10V | |
类型 | 1个N沟道 | |
原始制造商 | Toshiba | |
原产国家 | Japan | |
印字代码 | DX | |
长x宽/尺寸 | 1.20 x 0.80mm | |
高度 | 0.50mm | |
引脚数 | 3Pin | |
存储温度 | -55℃~+150℃ | |
极性 | N-沟道 | |
击穿电压 | 20V | |
栅极源极击穿电压 | ±10V | |
反向传输电容Crss | 5pF | |
充电电量 | 0.34nC | |
额定功率 | 500mW | |
功率耗散 | 150mW | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.1Ω@4.5V,150mA | |
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商品介绍
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：250mA 功率(Pd)：500mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.1Ω@4.5V,150mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@100uA
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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| 图片 | 型号/品牌 | 描述 | 技术文档 | 库存 | 参考价格 | 对比 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 型号：SSM3K35AMFV,L3F 品牌：Toshiba(东芝) | MOSFETs MOSFETs Toshiba SSM3K35AMFV,L3F | 数据手册 | 0（1起订） | ¥0.28892 ▼ 数量国内含税 5 +￥0.28892 20 +￥0.26343 100 +￥0.23793 500 +￥0.21244 1000 +￥0.20054 2000 +￥0.19205 | 当前型号 | 加入购物车 |
 | PIN to PIN | 胶壳及附件 | --- | 6000（起订） | ¥0.33550 ▼ 数量国内含税 2000 +￥0.33550 | SSM3K35AMFV,L3F(Toshiba)和640551-2(TE)的区别 | |
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SSM3K35AMFV,L3F 由 Toshiba 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 digikeychip1stop 等渠道进行代购。 SSM3K35AMFV,L3F 价格参考￥ 0.28892 。 Toshiba SSM3K35AMFV,L3F 封装/规格： SOT-723-3, 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：250mA 功率(Pd)：500mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.1Ω@4.5V,150mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@100uA。你可以下载 SSM3K35AMFV,L3F 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： SSM3K35AMFV,L3F
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