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MMUN2212LT1G
- 商品详情
封装 | TO-236-3|SC-59|SOT-23-3 |
电压-集电极-发射极击穿（最大值） | 50V |
集流器 (Ic)（最大值） | 100mA |
包装（供应商） | SOT-23-3(TO-236) |
直流电流増宽度率 | 60@5mA@10V |
生命周期状态 | 量产中 |
类型 | NPN |
其它名称 | MMUN2212LT1GOSTR | MMUN2212LT1GOSDKR | MMUN2212LT1GOSCT | ONSONSMMUN2212LT1G | 2156-MMUN2212LT1G-OS | MMUN2212LT1GOS | MMUN2212LT1GOS-ND | 2832-MMUN2212LT1G |
阻力基础 (R1) | 22kOhms |
直流电流增益 (hFE)（最小值） | 60@5mA,10V |
晶体管类型 | NPN-Prebias |
电阻发射器基极 (R2) | 22kOhms |
收集器发射器电压 | 50V |
制造商名称 | onsemi |
RoHS | 符合RoHS标准 |
Mounting Type | Surface Mount |
制品名 | MMUN2212LT1G |
集流器截止（最大值） | 500nA |
收集器电流 | 100mA |
Vce 饱和度（最大值） | 250mV@300uA,10mA |
制品分类 | 双极晶体管(BJT) |
最大功率 | 246mW |
商品介绍
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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