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IXDN75N120
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tariffCode | 85412900 |
rohsCompliant | YES |
IGBT配置 | 单 |
IGBT技术 | NPT IGBT [标准] |
hazardous | false |
rohsPhthalatesCompliant | YES |
工作温度最高值 | 150 |
产品范围 | Startech USB to DC Barrel Leads |
IGBT端接 | 螺柱 |
usEccn | EAR99 |
最大集电极发射电压 | 1.2 |
集电极-发射极饱和电压 | 2.2 |
连续集电极电流 | 150 |
euEccn | NLR |
晶体管封装类型 | SOT-227B |
功率耗散 | 660 |
productTraceability | No |
晶体管安装 | 面板 |
商品介绍
IXYS SEMICONDUCTOR - IXDN75N120 - IGBT模块, 单, 150 A, 2.2 V, 660 W, 150 °C, SOT-227B
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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