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MOSFETs ON 2N7002DW
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tariffCode | 85411000 |
rohsCompliant | YES |
合规 | - |
漏源导通电阻P沟道 | 1.6 |
hazardous | false |
rohsPhthalatesCompliant | YES |
针脚数 | 6 |
漏源电压Vds N沟道 | 60 |
漏源电压Vds P沟道 | 60 |
工作温度最高值 | 150 |
产品范围 | - |
usEccn | EAR99 |
MSL | MSL 1 -无限制 |
euEccn | NLR |
通道类型 | N通道 |
晶体管封装类型 | SOT-363 |
连续漏极电流 Id N沟道 | 115 |
productTraceability | No |
连续漏极电流 Id P沟道 | 115 |
耗散功率N沟道 | 200 |
漏源通态电阻N沟道 | 1.6 |
耗散功率P沟道 | 200 |
商品介绍
ONSEMI - 2N7002DW - 双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 60 V, 115 mA, 115 mA, 1.6 ohm
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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