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晶体管 ST STGY80H65DFB

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品牌：ST(意法半导体)
型号：STGY80H65DFB
商品编号：DS0107801
封装规格：
商品描述： HB Series 650 V 80 A High Speed Trench Gate Field-Stop IGBT - Max247

商品详情

热销型号1 / 3

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	型号：STGY80H65DFB 品牌：ST(意法半导体)	晶体管 ST STGY80H65DFB 晶体管 ST STGY80H65DFB	---	0（1起订）	¥98.48448 ▼ 数量国内含税 1 +￥98.48448 5 +￥98.02426 25 +￥98.02209 75 +￥98.01993 200 +￥98.01776	当前型号	加入购物车

STGY80H65DFB 由 ST 设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过 future 等渠道进行代购。 STGY80H65DFB 价格参考￥ 98.48448 。 ST STGY80H65DFB 封装/规格： TO247, IGBT 650V 120A 469W MAX247。你可以下载 STGY80H65DFB 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程

手机版： STGY80H65DFB

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品牌：ST(意法半导体)
型号：STGY80H65DFB
商品编号：DS0107801
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商品描述： HB Series 650 V 80 A High Speed Trench Gate Field-Stop IGBT - Max247

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品 牌：ST(意法半导体)型 号：STGY80H65DFB商品编号：DS0107801封装规格：商品描述： HB Series 650 V 80 A High Speed Trench Gate Field-Stop IGBT - Max247 HB Series 650 V 80 A High Speed Trench Gate Field-Stop IGBT - Max247

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型号：STGY80H65DFB
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