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MOSFETs ST STD15N50M2AG

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产品分类

转换器/电平移位器

RoHS

符合RoHS

技术

Si

安装风格

SMD/SMT

封装 / 箱体

DPAK-3

通道数量

1 Channel

晶体管极性

N-Channel

Vds-漏源极击穿电压

500 V

Id-连续漏极电流

10 A

Rds On-漏源导通电阻

336 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压

2 V

Vgs - 栅极-源极电压

30 V

Qg-栅极电荷

13 nC

最小工作温度

- 55 C

最大工作温度

+ 150 C

Pd-功率耗散

85 W

配置

Single

通道模式

Enhancement

资格

AEC-Q101

商标名

MDmesh

系列

STD15N50M2AG

晶体管类型

1 N-Channel

商标

STMicroelectronics

下降时间

8.8 ns

产品类型

MOSFET

上升时间

3.2 ns

标准包装数量

2500

子类别

MOSFETs

典型关闭延迟时间

84 ns

典型接通延迟时间

10 ns

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商品介绍

MOSFET PTD HIGH VOLTAGE

标准包装

标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时,包装类型(即卷、管、盘)可能会发生变化,以实际包装交货为准。
热销型号1 / 3
数据手册
型号:HQT-I01
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥19.9
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型号:HQT-T02
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥25.00331
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数据手册
品牌:Yageo
封装/规格:0603
¥0.01048
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数据手册
型号:0603B104K500NT
品牌:FH
封装/规格:0603
¥0.01142
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数据手册
型号:CL10B104KB8NNNC
品牌:Samsung
封装/规格:0603
¥0.01168
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图片 型号/品牌 描述 技术文档 库存 参考价格 对比 操作
型号:STD15N50M2AG
STMicroelectronics
MOSFETs ST STD15N50M2AG
数据手册 0(1起订)
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STD15N50M2AGST 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 STD15N50M2AG 价格参考¥ 0.67 。 ST STD15N50M2AG 封装/规格: TO-252-2(DPAK), MOSFET N-CHANNEL 500V 10A DPAK。你可以下载 STD15N50M2AG 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



手机版: STD15N50M2AG

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