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晶体管 NXP BSH111,215
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- 商品详情
- 技术文档
基本产品编号 | BSH111 |
系列 | TrenchMOS™ |
包装 | 散装 |
标准包装 | 3000 |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
Vgs（最大值） | ±10V |
漏源电压（Vdss） | 55 V |
供应商器件封装 | TO-236AB |
FET 功能 | - |
功率耗散（最大值） | 830mW（Tc） |
安装类型 | 表面贴装型 |
技术 | MOSFET（金属氧化物） |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4 欧姆 @ 500mA，4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.3V @ 1mA |
工作温度 | -65°C ~ 150°C（TJ） |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 335mA（Ta） |
封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
资质 | - |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 1 nC @ 8 V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 40 pF @ 10 V |
等级 | - |
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
商品介绍
表面贴装型 N 通道 55 V 335mA（Ta） 830mW（Tc） TO-236AB
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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