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MOSFETs GeneSiC Semiconductor G3R350MT12D

数量 香港价格 国内价格
1+ $4.91033 ¥40.68657
10+ $4.36118 ¥36.13632
25+ $4.15404 ¥34.42001
100+ $3.86399 ¥32.01670
250+ $3.68789 ¥30.55753
500+ $3.56360 ¥29.52766
1000+ $3.42891 ¥28.41161
2500+ $3.27354 ¥27.12426

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¥ 40.68657

  • 品       牌:GeneSiC Semiconductor
  • 型       号: G3R350MT12D
  • 商品编号: G5427894
  • 封装规格: TO-247-3
  • 商品描述: 通孔 N 通道 1200 V 11A(Tc) 74W(Tc) TO-247-3

  • 商品详情
  • 技术文档
供应商器件封装

TO-247-3

包装

管件

FET 类型

N 通道

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.69V @ 2mA

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

11A(Tc)

封装/外壳

TO-247-3

基本产品编号

G3R350

系列

G3R™

漏源电压(Vdss)

1200 V

功率耗散(最大值)

74W(Tc)

安装类型

通孔

技术

SiCFET(碳化硅)

标准包装

30

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

334 pF @ 800 V

Vgs(最大值)

±15V

FET 功能

-

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

12 nC @ 15 V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)

420 毫欧 @ 4A,15V

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

15V

工作温度

-55°C ~ 175°C(TJ)

零件状态

在售

资质

-

等级

-

商品介绍

通孔 N 通道 1200 V 11A(Tc) 74W(Tc) TO-247-3

标准包装

标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时,包装类型(即卷、管、盘)可能会发生变化,以实际包装交货为准。
热销型号1 / 3
数据手册
型号:HQT-I01
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥19.9
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型号:HQT-T02
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥25.00331
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数据手册
品牌:Yageo
封装/规格:0603
¥0.01022
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数据手册
型号:0603B104K500NT
品牌:FH
封装/规格:0603
¥0.01142
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数据手册
型号:CL10B104KB8NNNC
品牌:Samsung
封装/规格:0603
¥0.01155
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图片 型号/品牌 描述 技术文档 库存 参考价格 对比 操作
型号:G3R350MT12D
单 FET,MOSFET
MOSFETs GeneSiC Semiconductor G3R350MT12D
数据手册 0(1起订)

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1 +¥40.68657

10 +¥36.13632

25 +¥34.42001

100 +¥32.01670

250 +¥30.55753

500 +¥29.52766

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G3R350MT12DGeneSiC Semiconductor 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 digikeyarrow 等渠道进行代购。 G3R350MT12D 价格参考¥ 40.68657 。 GeneSiC Semiconductor G3R350MT12D 封装/规格: TO-247-3, SIC MOSFET N-CH 11A TO247-3。你可以下载 G3R350MT12D 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



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