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MOSFETs ON FDP4D5N10C
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供应商器件封装 | TO-220-3 |
包装 | 管件 |
FET 类型 | N 通道 |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 310µA |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 128A（Tc） |
封装/外壳 | TO-220-3 |
零件状态 | 在售 |
基本产品编号 | FDP4D5 |
系列 | PowerTrench® |
漏源电压（Vdss） | 100 V |
功率耗散（最大值） | 2.4W（Ta），150W（Tc） |
安装类型 | 通孔 |
技术 | MOSFET（金属氧化物） |
标准包装 | 50 |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 5065 pF @ 50 V |
Vgs（最大值） | ±20V |
FET 功能 | - |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 68 nC @ 10 V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.5 毫欧 @ 100A，10V |
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
资质 | - |
等级 | - |
商品介绍
通孔 N 通道 100 V 128A（Tc） 2.4W（Ta），150W（Tc） TO-220-3
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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